SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
作者:标准资料网
时间:2024-05-10 13:41:55
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基本信息
标准名称: | 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) |
英文名称: | Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional) |
中标分类: | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属 |
发布部门: | 中华人民共和国第四机械工业部 |
发布日期: | 1980-03-01 |
实施日期: | 1980-06-01 |
首发日期: | |
作废日期: | 2010-02-01 |
出版日期: | 1980-06-01 |
页数: | 4页 |
适用范围
本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度,通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线,可求得电阻率。
前言
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所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属
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